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NSI6601-Q1是单通道隔离式栅极驱动器，旨在驱动许多应用中的IGBT，功率MOSFET和SiC MOSFET。 它提供分立输出，分别控制上升和下降时间，并可以提供最大5A/5A的拉灌电流能力。 NSI6601提供SOP8（150 mil）封装，根据UL1577可支持3000VRMS隔离， 150kV/μs的最小共模瞬变抗扰度（CMTI），支持系统鲁棒性。该驱动器的最大电源电压为32V，而输入侧则接受3.1V至17V的电源电压。 所有电源电压引脚均支持欠压锁定（UVLO）保护。NSI6601具有高驱动电流，出色的耐用性，宽电源电压范围和快速信号传播的特性，适用于高可靠性，功率密度和效率的开关电源系统。
• 单通道隔离驱动器
• 输入侧电源电压：3.1V至17V
• 驱动器侧电源电压：高达32V(同时具有9V和13V的UVLO选项)
• 峰值5A/5A拉灌电流能力
• 高CMTI：±150kV/μs
• 典型的78ns传播延迟
• 工作环境温度：-40°C〜125°C
• 符合RoHS的封装：SOP8(150 mil)
• UL1577认证:
• SOP8(150 mil)：1分钟 3kVRMS
• CQC认证：符合GB4943.1-2022
• CSA认证：组件符合5A
• VDE认证：DIN V VDE V 0884-11:2017-1
• 隔离式DC / DC和AC / DC电源
• 高压PFC
• 太阳能逆变器
• 电机驱动器和电动汽车充电
• UPS和电池充电器
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